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炭化ケイ素基板

炭化ケイ素基板

用途：炭化珪素基板、高速・高集積ロジックLSIテープや超大型コンピュータなどの低電圧回路やVLSI高冷却パッケージの長時間延長・多用途、光通信クレジットレーザーダイオード基板用途など。

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窒化アルミニウム基板

窒化アルミニウム基板

窒化アルミニウム基板： ａ．原材料: AIN は非天然の存在ですが、1862 年に Genther らによって初めて合成された人工鉱物です。 Aln粉末の代表例は、窒化法と直接窒化法とを比較したものである。前者はA1203の高純度炭素還元と反応し、その後窒素と反応し、後者は直接窒化します。 ;

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セラミック基板の種類

セラミック基板の種類

c.用途：混載集積回路用基板、LSIパッケージ基板、多層回路基板

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セラミック基板の金属

セラミック基板の金属

フィルム法：真空コーティング、イオンプレーティング、スパッタリングコーティングなどによるメタライゼーション。ただし、金属フィルムとセラミック基板の熱膨張係数は可能な限り良好であり、メタライゼーション層の密着性は向上する必要があります。

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セラミックス基板の製造方法

セラミックス基板の製造方法

セラミックスの代表的な成形方法には、粉末プレス成形（成型など）、押出成形、キャスト成形の4種類があり、成形されます。キャスティング法は、製造が容易で生産効率が高いことから、近年、LSIパッケージや混載集積回路用基板の製造に用いられている。

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セラミック基板の特性

セラミック基板の特性

まず、セラミック基板の性質 1. 機械的性質：（回路配線の形成） ａ．高い機械的強度を持ち、搬送部品に加えてサポート部品としても使用できます。

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