Si3n4 プレート

Si3n4 プレート

専門メーカーとして、当社は高品質のSi3n4プレートを提供したいと考えています。そして、最高のアフターサービスとタイムリーな配達を提供します。他の断熱材を置き換えて歩留まりを高め、サイズと重量を削減できます。

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製品説明

この特性は、さまざまな用途で構造の完全性を維持するのに非常に貴重です。窒化ケイ素は優れた電気絶縁体です。電気を通さないため、電気絶縁が必要な用途に役立ちます。安心して Torbo® をご購入いただけます。Si3n4 プレート私たちの工場から、最高のアフターサービスとタイムリーな配達を提供します。窒化ケイ素 (Si3N4) は、ケイ素原子と窒素原子で構成されるセラミック化合物であり、機械的、熱的、電気的特性を特徴とします。窒化ケイ素は融点が高く、極端な温度にも耐えられるため、熱や高温環境を伴う用途に適しています。窒化ケイ素は、機械的強度と耐破壊性が高いことで知られています。シリコンリッチな窒化シリコン基板は、電子機器の製造に使用される材料です。これは、導電性に対する抵抗が高く、シリコン原子の濃度が高い、窒化シリコンの薄い層で構成されています。この材料は、トランジスタやダイオードなどの半導体デバイスや、太陽電池や発光ダイオード (LED) などの光電子デバイスの製造に一般的に使用されます。高濃度のシリコンにより、基板は電離放射線や温度変化による損傷に非常に耐性があり、宇宙や高温用途での使用に最適です。

Torbo® Si3n4 プレート

項目:窒化ケイ素基板

材質:Si3N4

色:グレー

厚さ:0.25-1mm

表面処理:ダブルポリッシュ

かさ密度:3.24g/㎤

表面粗さRa:0.4μm

曲げ強度:(3点法):600-1000Mpa

弾性率:310Gpa

破壊靱性(IF法):6.5MPa・√m

熱伝導率:25℃ 15~85W/(m・K)

誘電損失率:0.4

体積抵抗率:25℃>1014Ω・㎝

破壊強度:DC >15㎸/㎜

Torbo® Si3n4 プレート

パワー半導体モジュール、インバーター、コンバーターなどのエレクトロニクス分野で使用され、他の絶縁材料を置き換えて生産量を増やし、サイズと重量を削減します。パワーカード(パワー半導体)、自動車用パワーコントロールユニットの両面放熱。また、強度が非常に高いため、使用される製品の寿命と信頼性を高める重要な材料となります。

とはSi3n4 プレート?よく使われるのは?窒化ケイ素は、集積回路の製造において、異なる構造を電気的に分離するための絶縁体および化学バリアとして、またはバルクマイクロマシニングにおけるエッチングマスクとしてよく使用されます。

窒化ケイ素の欠点は何ですか?他のセラミック材料とは異なり、窒化ケイ素は軸受鋼と同様の荷重に耐えることができます。ただし、材料の硬さにより衝撃負荷がかかる用途でのレース設計には適していません。

よくある質問:

1. Si3n4 プレートを使用する利点は何ですか?

電子基板には、コンポーネントの安定したベース、熱放散の改善、回路の接続が容易なプラットフォームなど、多くの利点があります。また、多くの用途において耐久性と信頼性を提供します。

2. プロジェクトに適切な Si3n4 プレートを選択するにはどうすればよいですか?

電子基板の選択は、プロジェクトの特定の要件によって異なります。サイズ、重量、温度、他のコンポーネントとの互換性などの要素を考慮する必要があります。適切な基板の選択については、サプライヤーまたはエンジニアに相談してください。

3. 独自の Si3n4 プレートを作成できますか?

電子基板を自作することも可能ですが、専門的な知識と設備が必要です。必要な経験がない限り、信頼できるサプライヤーから既製の基板を購入することをお勧めします。


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